工程上一般用低浓度氯氟酸(DHF)处理电晕刻蚀的SiCOH，电晕处理机cd900通过观察碳耗尽层的厚度来表征电晕对SiCOH的损伤程度。IBM提出的P4(Post-Porosition Plasmal Protection）方法可以有效地减少电晕刻蚀过程中多孔低k材料的损伤。在不同电场强度下，电晕处
