因为硬掩模层通常是氧化硅材料，电晕处理工具当与CF4和CHF3一起刻蚀时，会产生聚合物，并在保护层和层间介质层的侧壁上堆积，如果聚合物沉积在侧壁上，后续的主蚀刻会将这种异常图案转移到通孔底部，成为贯穿通孔顶部到底部的条纹，增加了通孔侧壁的粗糙度，严重影响后续镀铜填充的完整性，作为缺陷易产生电迁移(E
