在半导体集成电路中，硅材料电晕处理的方法及其设备真空电晕的刻蚀工艺不仅可以刻蚀表层的光刻胶，还可以刻蚀底层的氮化硅层。通过调整某些参数，可以形成一定的氮化硅层形貌，即侧壁的蚀刻倾角。1.氮化硅材料的特性：氮化硅酸盐是一种新型热材料，具有密度低、硬度高、弹性模量高、热稳定性好等优点，在许多领域得到了广
