但是，河南pcb等离子除胶机参数它也会导致电荷损坏。这种损坏将越来越多地影响MOS器件的可靠性，因为栅氧化层的厚度可能会不断减小，从而影响氧化层的固定电荷密度和界面密度。平带电压、漏电流等参数。具有天线器件结构的大面积离子收集区（多晶或金属）通常位于厚场氧化物上，因此只需考虑隧道电流对薄栅氧化物的影
