对HEMT AIGaN表面进行氧等离子体氧化，氮化后氧化处理工艺需要多长时间提高肖特基势垒，降低读数电压。同时，经氧等离子体处理的表面不会引入新的绝缘膜，影响器件特性。AlGaN/GaN HEMT的基本结构是一个调制的掺杂异质结。在氮化镓与氮化镓的界面形成一个2DEG表面通道，该通道由栅极电压控制。
