等离子体刻蚀设备CH2F2 / CH3F气体,氮化硅聚合物表面远低于硅的厚度或聚合物形成金属硅化物,所以在氮化硅的表面,等离子体蚀刻反应可以继续设备,而金属硅化物聚合物厚,所以比的选择。然而，极耳plasma刻蚀机器由于大量F原子的离解，等离子体对金属硅化物仍有明显的损伤。相比之下，等离子体干法刻蚀
