氧等离子体对等离子清洗设备的ALGAN/GAN HEMT表面处理的影响：宽带隙半导体材料氮化镓（GAN）因其优异的物理化学和电学性能成为研究最多的半导体材料。半导体材料的产生。半导体材料硅（SI）和第二代半导体材料砷（GAAS）、磷（GAP）、磷化铜（INP）等是发展较快的第三代半导体材料。等离子清
