硅槽表面生长的氧化硅会阻碍四甲基氢氧化铵的后续处理，电路板清洁翻新导致西格玛硅槽的形成。在集成电路制造中，通常使用稀氢氟酸去除二氧化硅，以确保硅表面没有二氧化硅或其他污染。通过调整氢氟酸加工时间，大大改善了不同形状的西格玛硅槽的深度差。所有测试都基于相同的干蚀刻和灰化过程。当氢氟酸稀释量超过一定量时
