传统的铜籽晶层沉积工艺主要有物理气相沉积( PVD)然而随着集成电路特征尺寸不断缩小利用PVD技术难以在高深宽比的沟槽中沉积保形性好、均匀-致的铜籽晶层，安徽等离子真空清洗机结构随着微电子器件的小型化原子层沉积( ALD)技术得以迅速发展该技术对具有较高深宽比的沟槽及复杂三维结构表面具有良好的台阶覆
