等离子体表面加工机(PSPS)中多晶硅栅极蚀刻造成块体硅损伤的原理由于有效氧化层厚度(EOT)，亲水性膜用于mabr栅极氧化层在65nm以下薄至1~2纳米。在HBr/O2等离子体中，由于氢离子的质量，HBr分解氢离子它非常小。在电场加速度作用下，高能氢离子可以通过栅状硅氧化物注入到块体硅中，深度可达
