等离子表面清洗机的侧壁蚀刻；等离子体表面清洗机的侧壁蚀刻一般采用四氟化碳(CF4)作为主蚀刻步骤的气体。主蚀刻步骤蚀刻掉氮化硅膜表面的初级氧化层和较大厚度的氮化硅膜。通过调节蚀刻室的压力和功率，plasma离子束后的注意事项可以控制主蚀刻步骤的各向异性蚀刻形成侧壁。而在主蚀刻步骤中氮化硅和底部氧化硅
