后续编号10SiO2/Si3N4 薄膜对的蚀刻使用硬掩模作为阻挡层，PFC等离子刻蚀机器在随后的蚀刻工艺中，硬掩模侧壁中的缺陷会转移到 SiO2/Si3N4 薄膜对上。 ③关键尺寸统一。 (2)等离子表面处理机和等离子清洗机的通道通孔刻蚀，以及数十对SiO2/Si3N4薄膜的通道通孔刻蚀，由于其超高
