同时，氧化硅表面羟基疏水改性该研究比较了不同偏置电压下蚀刻过程中对介电材料的损伤。等离子表面处理机的低偏压或零偏压超低温蚀刻显着降低了低介电常数材料的PID，而材料的介电性能与蚀刻前相比没有明显变化。 2015年，佐治亚理工学院的赫斯研究组报道了在等离子表面处理设备中使用低温气体等离子蚀刻与方安一起
