广东芳如达科技有限公司 2022-12-02 13:54:53 158 阅读
典型的等离子体物理清洗工艺是反应室内氩气作辅助处理的等离子体清洗;氩本身是惰性气体,氩气蚀刻机器等离子体氩不与表面发生反应,而是通过离子轰击清洁表面。典型的等离子体化学清洗工艺是氧等离子体清洗。等离子体产生的氧自由基非常活跃,容易与碳氢化合物反应生成二氧化碳、一氧化碳、水等挥发性物质,从而去除表面污染物。
相比之下,氩气蚀刻常做企业客户的等离子清洗机厂家经验更丰富,即使是教学,也更有利于学生学到有用的东西!。等离子体表面处理常用的气体有氮气、氧气、氩气、氢气和腐蚀性四氟化碳。这些气体的特性是什么?选择时需要注意哪些细节?1.氧气氧有很好的活性,氧化反应也是常见的反应。电离后形成的氧离子非常适合聚合物的表面活化和有机污染物的去除,但由于其氧化性较高,无法处理金属材料表面。2.氢我相信每个人都知道氢。
不同工艺气体对清洗效果的影响;1)等离子设备和氩气。物理等离子体清洗过程中,氩气蚀刻设备氩气形成的离子携带能量轰击工件表层,剥离表层无机污染物。集成电路封装过程中,氩离子轰击焊在圆盘表面,通过轰击去除工件表面的纳米污染物,并通过真空泵将形成的气体污染物抽走。这种清洗工艺可以提高工件表面层的活性和包装中的组合性能。
通过各种等离子体处理可以改变晶片表面的亲水性和吸附性。等离子体表面激发技术只会改变晶圆表面层,氩气蚀刻而不会改变材料本身的性能,包括机械、电学和力学性能。等离子体处理具有无污染、工艺简单、快速高效等特点。通过多次实验,得出了分别使用氧气和氩气的具体处理方案,并使后期的键合工艺获得成功。
氩气蚀刻
化学清洗具有清洗速度快、选择性好的特点,但清洗过程中可能会在外表面重新生成氧化物,半导体封装的引线键合过程中不允许产生氧化物。因此,如果引线键合过程中需要化学清洗,就必须严格控制化学清洗的工艺参数。2.大气等离子体发生器的物理清洗氩气是物理清洗中常用的气体。其作用机理是通过等离子体中离子的纯物理撞击去除材料外表面的原子或附着在材料外表面的原子。
等离子体表面处理工艺可以有效地处理上述两种表面污染物,但在处理过程中应首先选择合适的处理气体。氧气和氩气是等离子体表面处理过程中最常用的工艺气体。1.氧在等离子体环境中可以电离产生大量含氧极性基团,有效去除材料表面的有机污染物,吸附材料表面的极性基团,有效提高材料的结合性能–在微电子封装工艺中,塑封前等离子体处理是这类处理的典型应用。
等离子清洗键合后,键合强度和键合引线张力的均匀性将显著提高,对提高引线的键合强度起到很大作用。引线键合前,可采用气体等离子体技术对芯片触点进行清洗,以提高键合强度和成品率。表3显示了一个改进的拉伸强度比较的例子。采用氧气和氩气的等离子体清洗工艺,在保持较高的工艺能力指数CPK的同时,有效地提高了抗拉强度。
-的主要过程包括:首先,将需要清洗真空等离子体设备的工件送入真空室固定,启动真空泵等装置,开始吸尘排气至10Pa左右的真空度;然后,真空等离子体制备气体(根据清洗材料的不同)选择不同的气体,如氧气、氢气、氩气、氮气等,压力控制在Pa左右;在真空室内的电极和接地装置之间施加高频电压,使气体分解并通过辉光放电使气体电离。
氩气蚀刻设备
简而言之,氩气蚀刻等离子清洗需要在真空状态下进行(通常需要保持在Pa周围),因此需要真空泵抽真空开启。其主要过程是:首先将待清洗工件送入真空室内固定,启动真空泵等设备,将真空排出至10Pa左右的真空度,然后将等离子体清洗用气体引入真空室内(根据清洗材料的不同,选择的气体也不同,如氧气、氢气、氩气、氮气等)。在真空室内的电极和接地装置之间施加高频电压,压力保持在Pa左右,使气体被破坏,并通过辉光放电产生离子体。
本文分类:赤峰
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