SI-SIO2界面态的形成是产生NBTI效应的主要因素，tio2亲水性还是疏水性而氢气和水蒸气是引起NBTI的两大主要物质。它们在界面处的电化学反应形成供体型界面态NIT。在阈值电压移位器件的操作期间未产生的氧化物陷阱电荷也可以使阈值电压移位。为了降低 NBTI 的影响，必须降低 SI-SIO2 界
