氢等离子体表面处理仪处理可以有效除去表层的碳污染，表面改性及应用暴露在空气中30分钟后，发现经氢等离子体表面处理仪处理的碳化硅表层氧的含量能明显低于传统湿法清洗的表层，经氢等离子体表面处理仪处理的表层抗氧化能力显著提高，这就为制造欧姆接触和低界面态的MOS器件打下了良好的基础。。BGA器件的焊球往往
