多晶硅栅极蚀刻在栅极氧化硅处停止，陕西rtr型真空等离子喷涂设备找哪家因此在主蚀刻步骤中使用 CF4 气体蚀刻掺杂硅的上半部分后，蚀刻聚碳酸酯栅极下半部分的剩余 20%。为了在等离子表面处理器中实现多晶硅蚀刻和门控氧化硅的高选择性，必须使用 HBr / O2 气体蚀刻。如前所述，HBr/O2对N型掺
