在后续工艺中，摄像头模组plasma刻蚀浅槽隔离区域的氧化硅会被损坏，导致有源区域作为通道暴露，导致器件失效。研究发现，线末端的回撤与图形刻蚀定义的初始刻蚀过程密切相关。线条末端的回撤性能随底部增透层的蚀刻气体变化很大。目前等离子体表面处理器的主要蚀刻气体是HBr/Cl2和氟基气体。线端后退程度远小
